| 专利名称： | 高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101475373 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910045909.8 |
| 申请日： | 2009-01-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李玉臣;姚 烈;董显林;梁瑞虹 |
| 内容： | 一种高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。该压电陶瓷材料的化学通式为： xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.％SiO2+bwt.％La 2O3+cwt.％Nb2O5+dwt.％Sb2O3。其中，x＝0.2～0.5；y＝0.2～0.5；z＝0.1～0.4；m＝0.0～ 0.10；n＝0.0～0.10；p＝0.0～0.10；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，材料标准片的主要性能为： d33＝974pC/N，d31＝-388pC/N，ε33T/εo＝7000，g31＝-6.26，k31＝0.42；本发明材料具有较高的压电应变常数d31和相对低的压电电压常数g31，是一种性能优良的压电陶瓷双晶片驱动型材料。用本材料制成的压电陶瓷双晶片致动元件，已提供中国盲文出版社，用于制作盲文电子显示器，双晶片端点位移量大，力度强，稳定性好，盲人手感明显，已完全取代同类进口产品。 |
发布日期：2009-07-13 03:20:00