| 专利名称： | Sb2O3掺杂的ZnOw/PZT双相压电复合陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101475375 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910077224.1 |
| 申请日： | 2009-01-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 曹茂盛;王大伟;袁 杰 |
| 内容： | 本发明为一种Sb2O3掺杂的ZnOw/PZT双相压电复合陶瓷及其制备方法，属于无机非金属材料科学领域。本发明的原料为Sb2O3粉体、纳米ZnO晶须和锆钛酸铅(PZT)陶瓷粉体。其制备方法为：先将ZnO晶须、PZT粉体、Sb2O3 粉体混合均匀，在体系中添加聚乙烯醇溶液再进行球磨搅拌，通过干燥粉碎、细磨过筛、干压成型后，经过排胶、烧结制备出复合陶瓷，再进行切割加工、极化老化。本发明与现有ZnOw/PZT压电陶瓷相比，大幅度提高了原有的压电性能，增强了陶瓷的力学性能，是一种具有广泛应用前景的新型双相压电复合陶瓷；且其制备操作工艺简单、成本较低，能够满足工业化推广和应用的要求。 |
发布日期：2009-07-13 03:22:00