| 专利名称： | 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101486576 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810010162.8 |
| 申请日： | 2008-01-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周延春;胡春峰;包亦望 |
| 内容： | 本发明涉及单相块体陶瓷及制备方法，具体为一种原位反应热压合成V2AlC 块体陶瓷及其制备方法。本发明V2AlC块体陶瓷由单相V2AlC组成，通过原位反应热压技术所制备的单相V2AlC相对密度为98～99％，所制备样品中平均晶粒尺寸长度范围为49～405μm，宽度范围为19～106μm。以钒粉、铝粉和石墨粉为原料，干燥条件下在树脂罐中球磨12～24小时，过筛后装入石墨模具中冷压成型，在真空或通有氩气的热压炉内烧结，升温速率为10～15℃/分钟，烧结温度为1400～1700℃，保温时间为30～60分钟，施加压力为25～35MPa；从而，制备出V2AlC单相陶瓷。本发明可在不同的烧结工艺条件下制备出含不同尺寸晶粒的V2AlC块体陶瓷，所合成的样品具有工艺简单、纯度高、致密度高、高温刚性好的特点。 |
发布日期：2009-07-22 22:40:00