| 专利名称： | 一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法 |
| 公开（告）号： | CN100519469 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610047768.X |
| 申请日： | 2006-09-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周延春;孙子其;李美栓 |
| 内容： | 本发明涉及高纯Y2SiO5新陶瓷材料的制备技术，具体为一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷材料的方法。在原料Y2O3和SiO2混合物中加入添加剂 LiYO2，添加剂的含量为Y2O3、SiO2和LiYO2总质量的0.2～10.0％。混合均匀后，进行煅烧，煅烧温度为1250℃～1600℃，煅烧时间为1～5小时，得到高纯单相 Y2SiO5粉末。粉末经球磨得到超细粉后，装入高强钢模具中单向冷压或进行冷等静压成型，得到相对密度为45～65％的生坯，在高温空气炉或氧气炉中进行无压烧结，烧结温度为1100～1600℃、烧结时间为0.5～2.5小时，得到的成品密度为理论密度的85～100％。本发明可以在相当低的温度下制备出具有高纯度的单相的大块致密的Y2SiO5陶瓷材料，可以作为高温结构材料、抗氧化性保护涂层等，在航空、航天方面有着广泛的应用前景。 |
发布日期：2009-07-29 21:31:00