| 专利名称： | 致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101497524 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-05 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810010295.5 |
| 申请日： | 2008-01-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 戴文斌;于景坤;王新丽 |
| (申请)专利权（人）： | 戴文斌;于景坤;王新丽 |
| 内容： | 本发明是一种制备致密氧化镁部分稳定氧化锆陶瓷的方法。利用氧化镁作为稳定剂，采用共沉淀法引入三氧化二铝，二氧化硅，氧化钙等添加物，合成纳米级/亚微米级粉末；然后利用液相烧结在较低温度下加热制得致密的氧化锆陶瓷材料。本发明的主要特点是能够精确控制稳定剂和各种添加剂的含量，使它们非常均匀的分散，而且合成粉末的粒度均匀，粒径小；在较低的烧结温度条件下，能够获得致密性良好的烧结体。本方法工艺简单，设备投资少，有利于工业化大规模生产。 |
发布日期：2009-08-05 21:17:00