| 专利名称： | 一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101503294 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910046970.4 |
| 申请日： | 2009-03-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李永祥;李正法 |
| 内容： | 本发明涉及一种次晶有序排列的铌酸盐无铅压电陶瓷及其制备方法，属于无铅压电陶瓷晶粒调控制备技术领域。本发明化学式为： [K0.44Na(0.56-x)Lix][Nb(0.95-x)SbxTa0.05]O3，其中，0≤x≤0.56，其由晶粒团组成，各晶粒团的尺度在10~1000μm，各晶粒团由数目为10-400个的次晶粒有序排列构成，各次晶粒的尺度为1-3μm。晶粒具有显著的各向异性。本发明混合原料粉末，以合适的工艺制备出纳米级混合前驱体，通过适当的工艺及方法调控以固相反应法制备出由有序排列的次晶组成的晶粒构成的压电陶瓷，陶瓷呈现优异的压电性能。本发明因在晶粒调控领域具有强烈的示范效应而具有光明的前景，制备得到的高性能无铅铌酸盐压电陶瓷有望应用于收发两用型压电换能器领域。 |
发布日期：2009-09-04 22:31:00