| 专利名称： | 多孔Si3N4陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101508592 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910071599.7 |
| 申请日： | 2009-03-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 叶 枫;刘利盟;张敬义;张海礁 |
| 内容： | 多孔Si3N4陶瓷的制备方法，它涉及一种Si3N4陶瓷的制备方法。本发明解决了现有技术制备多孔Si3N4陶瓷气孔率低的问题。本发明的方法如下：将 α-Si3N4粉末和助烧剂混合均匀；将上述混合物与聚乙烯醇水溶液制成泥浆；再把泥浆冷冻至完全结冰，然后进行低温真空脱水，冷冻前可根据需要把泥浆成型为各种形状的坯体；对干坯进行烧结，即得多孔Si3N4陶瓷。本发明方法制得的多孔Si3N4陶瓷孔径和气孔率均可调控，气孔率最高可达95％。本发明方法工艺简单、可重复性好。 |
发布日期：2009-09-04 23:26:00