当前位置:
| 专利名称： | 用于介电应用的钙钛矿和其它化合物陶瓷膜的沉积 |
| 公开（告）号： | CN101511493 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680039671.2 |
| 申请日： | 2006-08-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 希莫菲克斯公司 |
| (申请)专利权（人）： | 张红梅;理查德·E·德马雷 |
| 内容： |
根据本发明，提出了通过脉冲dc物理气相沉积方法或通过RF溅射方法沉积钙钛矿材料例如钛酸锶钡(BST)膜。这样一种沉积可以提供钙钛矿层的高沉积速率的沉积。所述沉积的一些实施方案解决了对钙钛矿膜的高速率沉积的需要，所述钙钛矿膜可以用作电容器、其它能量储存器件和微电子应用中的电介质层。根据本发明的方法的实施方案可以消除常规上使所述BST层结晶所需的高温(＞700℃)退火步骤。
 |
发布日期：2009-09-04 23:43:00