| 专利名称： | 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101508572 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910080721.7 |
| 申请日： | 2009-03-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张久兴;周身林;张皓琨;刘丹敏;包黎红;马汝广 |
| 内容： | 高致密单相TiB2陶瓷的快速制备方法属于超硬耐磨陶瓷材料技术领域。TiB2陶瓷的传统制备方法存在烧结温度高、时间长、致密度不高及性能较差等问题。本发明将氢化钛(或钛)粉末与硼粉末按摩尔比2∶1研磨混匀后，装入石墨模具中加压压实，并放入SPS烧结炉中烧结，烧结工艺为：在轴向压力为30-60MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa 的真空条件下，以90-180℃/min的升温速度升温至1350-1650℃，保温时间0-10min，而后随炉冷至室温，得到高纯致密TiB2陶瓷材料。本发明方法大幅降低了烧结温度、缩短了烧结时间，提高了TiB2的致密度和力学性能。 |
发布日期：2009-09-04 23:03:00