| 专利名称： | 一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法 |
| 公开（告）号： | CN100532330 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-26 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610010356.9 |
| 申请日： | 2006-08-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 何 鹏;冯吉才;王 明 |
| 内容： | 一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，属于陶瓷焊接领域。为了解决现有陶瓷扩散连接技术中扩散连接温度高、扩散连接压力大的技术不足，本发明采用TiH2粉作为扩散连接中间层，TiH2粉在真空扩散连接加热过程中发生脱氢，即TiH2从500℃～800℃经历TiH2→Tix→α-Ti的连续脱氢过程，TiH2脱氢完全后可得到有效的活性Ti，它作为活性中间层存在于被连接材料的界面，由于金属Ti粉很细，可达到纳米级，因此具有较大的表面能，可以在相对较低的温度下实现陶瓷接头可靠的扩散连接。同时由于Ti颗粒中间层中存在一定的孔隙，且具有较大的塑性，也可以更好的缓和陶瓷与金属异种材料连接接头的内应力。 |
发布日期：2009-09-11 21:55:00