| 专利名称： | 一种钼刚玉陶瓷材料及低温烧结方法 |
| 公开（告）号： | CN100532319 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-26 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710147352.X |
| 申请日： | 2007-09-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 桂林工学院 |
| (申请)专利权（人）： | 杨淑金;吴伯麟;张 楠 |
| 内容： | 本发明公开了一种钼刚玉陶瓷材料及低温烧结方法。钼刚玉陶瓷材料中原料重量百分比含量为：氧化铝粉85～99.5％、氧化钼0.1～3.0％、粘土0.1～14.5 ％、长石0.1～14.5％、碳酸钙0.1～14.5％、滑石0.1～14.5％。步骤为：将上述原料球磨混合3小时后在空气中于100℃烘干24小时；采用冷等静压成型，在 200～300MPa下保压3分钟；在硅钼炉中1350～1550℃保温0.5～3小时烧结，随炉冷却，可获得钼刚玉陶瓷材料。本发明采用一般工业设备，工艺简单，有利于刚玉陶瓷工业化生产；不仅显著降低氧化铝陶瓷的烧结温度，同时抗弯强度可以达到350～600MPa；能显著降低高铝陶瓷生产中的高温能耗及产品成本，同时获得高强氧化铝陶瓷。 |
发布日期：2009-09-11 21:48:00