| 专利名称： | 一种低温釉下裂纹陶瓷制品的生产方法 |
| 公开（告）号： | CN100534958 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-02 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710035863.2 |
| 申请日： | 2007-09-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 成 伟 |
| (申请)专利权（人）： | 成 伟 |
| 内容： | 一种低温釉下裂纹陶瓷制品的生产方法，首先按传统工艺制作坯体，进行坯体素烧，然后在坯体上施涂中间层；所述中间层配方为硅石粉48～55％、长石粉25～32％、1185釉5～12％、高岭土8～ 15％；施涂方法是先将配好的中间层原料加水制成波美浓度为38～ 42度的混和液，再将坯体置于混和液中浸施3～4钞钟，使涂层厚度达到0.4～0.6毫米，接着在施涂干燥后的中间层上绘彩、装饰，将半成品入窑烤烧，最后在烤烧好的中间层上施涂透明釉，再入窑釉烧后得到成品。本发明生产的陶瓷制品表层釉面完整，不会被外部液体渗透污染，釉下有装饰效果显著的裂纹，铅含量小、可以顺利地进入欧美市场，具有巨大的经济和社会效益。 |
发布日期：2009-09-18 21:32:00