| 专利名称： | 多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法 |
| 公开（告）号： | CN100539229 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200410018444.4 |
| 申请日： | 2004-05-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李国荣;殷庆瑞;张望重;郑嘹赢 |
| 内容： | 一种多层片状压电陶瓷自耦合式降压变压器及其制作方法，其特征在于：多层片状自耦合式压电陶瓷降压变压器是由作为电压输入的二组多层压电陶瓷1和夹在这二组多层陶瓷之间作为输出端的一组多层压电陶瓷2组成变压器的。其中变压器的多层压电陶瓷采用轧膜和流延方法经多层共烧结制。该变压器具有体积小、输入和输出端不共地连接、结构设计灵活的特点。其降压比可调，最大可达0.16，功率转换效率高达98％，有望可广泛应用于新一代的移动通讯、手机等电子产品中。 |
发布日期：2009-09-18 22:05:00