| 专利名称： | 硼化物增强型碳化硅陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101525240 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910097918.1 |
| 申请日： | 2009-04-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 郭兴忠;杨 辉;张玲洁;傅晓健 |
| 内容： | 本发明公开了一种硼化物增强型碳化硅陶瓷的制备方法，碳化硅粉体、钇铝石榴石和硼化物微粉组成主原料，包括以下步骤：1)将主原料、粘结剂和分散剂加入到去离子水中，球磨混合后，配制成水基碳化硅料浆；2)采用喷雾造粒工艺对水基碳化硅料浆进行喷雾干燥，得碳化硅造粒粉；3)对碳化硅造粒粉采用干压预压和冷等静压终压的两步方式成型，获得高密度的碳化硅素坯；4)将高密度的碳化硅素坯放在真空无压烧结炉中，升温至1900℃～2000℃保温1～1.5小时；得硼化物增强型碳化硅陶瓷。采用该方法制备而得的硼化物增强型碳化硅陶瓷具有硬度高、抗弯强度大、断裂韧性优良等特性。 |
发布日期：2009-09-18 23:06:00