| 专利名称： | 半导体陶瓷组合物及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101528632 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780039846.4 |
| 申请日： | 2007-10-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 日立金属株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 岛田武司;田路和也 |
| 内容： | 本发明的目的是提供一种这样的半导体陶瓷组合物，该半导体陶瓷组合物能够在正方向上改变居里温度，并且能够在将室温电阻的增加抑制到最小值的同时获得优良的跃升特性。本发明提供一种BaTiO3 的一部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组合物，该半导体陶瓷组合物是通过下述步骤获得的：烧结含有(BaR)TiO3或Ba(TiM)O3(其中R和 M各自是半导体掺杂物)的BT煅烧粉末(其中残留有一部分BaCO3 和TiO2)和含有(BiNa)TiO3粉末的BNT煅烧粉末的混合的煅烧粉末。 |
发布日期：2009-09-18 23:28:00