| 专利名称： | 多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101531538 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910071698.5 |
| 申请日： | 2009-04-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 贾德昌;邵颖峰;周 玉 |
| 内容： | 多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法，它涉及复合材料的近净尺寸制备方法。本发明解决了Si3N4在烧结过程中陶瓷坯体的收缩率较大的问题。方法如下：制备多孔氮化硅生坯；生坯预烧结；浸渍、凝胶化、干燥；烧结，即得多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料。本发明方法制得的多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料在达到力学性能要求的同时，减小了烧结时坯体的收缩率。本发明方法工艺简单、成本低、重复性好。 |
发布日期：2009-09-21 21:43:00