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| 专利名称： | 采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法 |
| 公开（告）号： | CN101531525 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910082126.7 |
| 申请日： | 2009-04-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 仇卫华;李 敬;李福燊;丁伟中 |
| 内容： | 采用烧结助剂制备钡钴铁铌氧化物致密陶瓷膜片的方法，属于陶瓷透氧膜功能材料领域。本方法是将固相法制备的钡钴铁铌粉体与助烧剂球磨混合均匀，经过干燥、造粒、压片等工序在高温炉中烧结而成。添加的烧结助剂在膜片的烧结过程中产生液相，产生的液相润湿固体颗粒，使颗粒间的间隙形成毛细管，在毛细管压力作用下，颗粒发生重排，填实并排除部分气孔，促进了透氧膜陶瓷膜片的致密化。本方法增大了合成致密钡钴铁铌膜片与材料融化温度的间隔，有利于管式透氧器件的烧成，有效解决了制备钡钴铁铌膜片在较低温度下不致密或高温下易熔化的问题，工艺过程简便，所需设备简单，助烧剂种类常见。
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发布日期：2009-09-21 21:26:00