| 专利名称： | 降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法 |
| 公开（告）号： | CN101538165 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-23 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910049374.1 |
| 申请日： | 2009-04-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李永祥;龙艳平;王依琳;吴文骏 |
| 内容： | 本发明涉及一种降低锂-铌-钛系微波介质陶瓷烧结温度的方法，属于低温共烧微波介质陶瓷领域。本发明以Li2O、Nb2O5和TiO2或高温下可分解为Li2O、 Nb2O5和TiO2的化合物为原料，以氧化硼、硼酸和硅酸甲酯、硅酸乙酯等硅酸酯以及硅酸等可溶性硅酸盐为原料配制溶液，在合成料中加入溶液，采用PVA 或PVB造粒，压制成型，排塑后在860～960℃烧结1～3h。本发明有效将陶瓷烧结温度降低至900℃左右，同时保持非常优异的微波介电性能：ε＝71.721， Q×f＝4930GHz和τf＝-2.1ppm/℃，其介电性能优于未添加助烧剂的锂-铌- 钛基陶瓷在1100℃下烧结获得的微波介电性能性能。 |
发布日期：2009-09-23 22:00:00