| 专利名称： | 一种温度稳定型钨青铜结构介电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101531512 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910113980.5 |
| 申请日： | 2009-04-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 桂林工学院 |
| (申请)专利权（人）： | 方 亮;彭西洋;胡长征;李纯纯;苏和平;刘来君 |
| 内容： | 本发明公开了一种温度稳定型钨青铜结构介电陶瓷及其制备方法。陶瓷组分组成为：Sr5PrTi3Nb7O30+xSr4Pr2Ti4Nb6O30，其中：0.3≤x≤3，x为Sr4Pr2Ti4Nb6O30 与Sr5PrTi3Nb7O30的摩尔比。本发明采用的制备方法简单，陶瓷烧结良好，介电常数高达300～700，介电损耗低，温度稳定性好。 |
发布日期：2009-09-21 21:13:00