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| 专利名称： | 用于半导体处理设备的陶瓷件 |
| 公开（告）号： | CN100545304 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-30 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510081877.9 |
| 申请日： | 2001-06-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 兰姆研究公司 |
| (申请)专利权（人）： | 威廉·F·博希 |
| 内容： | 一种陶瓷件，用于处理半导体衬底的真空处理室，该陶瓷件包括：具有才机加工或才烧结的外表面的非氧化物陶瓷材料；和在该外表面上并形成陶瓷件的最外表面的氧化层，该氧化层内包含附着在外表面上的非氧化物陶瓷材料颗粒。在半导体衬底处理期间，使陶瓷件经等离子体调控处理可使颗粒污染降至最低。陶瓷件可由各种材料制成，如氧化铝、二氧化硅、石英、碳、硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、碳化硼、氮化铝或碳化钛。陶瓷件可为真空处理室的各种部件，如处理室侧壁内的衬套、向处理室供给处理气体的气体散布板、喷淋头组件的缓冲板、晶片通道插入件、衬底周围的聚焦环、电极周围的边环、等离子体屏蔽板和/或窗口。
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发布日期：2009-10-22 23:16:00