| 专利名称： | 压电陶瓷及压电元件 |
| 公开（告）号： | CN101547875 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-30 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880000967.2 |
| 申请日： | 2008-02-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 榊千春;下村惠美;坂井基祥;中村玄德 |
| 内容： | 本发明提供具有大的矫顽电场的值的同时，可在950℃以下的低温下烧成的压电陶瓷。所述压电陶瓷采用如下的组成：以通式通式Pbx-a-dBiaM3d{M1 b(M21/3Nb2/3)yZr1-b-y-zTiz}O3表示，M1和M2分别为Ni和Zn的至少一种，M3为Ba 和Sr的至少一种；所述a、b、d、x、y、z满足0.05≤a≤0.15、0＜b≤0.07 5、0≤(a-2b)、0≤d≤0.1、0.97≤x≤1.00、0.020≤y≤0.250、0.398≤z ≤0.512。此外，较好是M1为Ni，M2为Ni或Zn的至少一种。此外，较好是呈 Ni偏析的状态。
 |
发布日期：2009-10-23 04:00:00