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| 专利名称： | 多层陶瓷电容器及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN100545969 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-30 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510004129.0 |
| 申请日： | 2005-01-07 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | TDK株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 中野幸惠;宫内真理;佐藤阳 |
| 内容： | 本发明的目标在于通过消除介电层中的氧空位和抑制Ni内部电极的氧化来提供一种具有高介电常数、高电容和极好可靠性的多层陶瓷电容器。该多层陶瓷电容器包括通过交替堆叠主要含钡的钛酸盐的介电层和主要含Ni的内部电极层而形成的多层介电体，并且在电容器中存在含有Mg-Si-O作为组成元素的第一异相。
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发布日期：2009-10-22 23:21:00