| 专利名称： | 一种具有倍频功能的硫系玻璃陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101544472 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-30 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910061842.7 |
| 申请日： | 2009-04-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 陶海征;郝彰翔;林常规;张 军;赵修建 |
| 内容： | 本发明属于非线性光功能材料领域，具体涉及一种具有倍频功能的硫系玻璃陶瓷及其制备方法。一种具有倍频功能的硫系玻璃陶瓷，其特征在于它的化学表达式为：(100％-x) GeS2·xGa2S3，其中，x表示Ga2S3所占摩尔％，且x＝20～35％(摩尔)，(100％-x)表示GeS2 所占摩尔％。该方法制备的玻璃陶瓷具有成本低、工作温度上限较高、物化性能稳定、耐水性好、无毒环境友好的特点，具有宽的透过窗口和倍频功能。 |
发布日期：2009-10-23 02:48:00