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| 专利名称： | 掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101624284 |
| 公开（公告）日： | 2010-01-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910055936.3 |
| 申请日： | 2009-08-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李国荣;郑嘹赢;冷森林;王天宝;曾江涛;殷庆瑞 |
| 内容： | 本发明涉及一类掺杂的BKT-BT系无铅正温度系数电阻陶瓷材料及制备方法，材料的组成通式为：(Bi0.5K0.5)x1(Ba1-x1-x2AX2)Ti1-yMyO3+Zmol％D，其中 0＜x1≤0.7；0＜x2≤0.6％；0＜y＜0.2％；0≤Z＜1；A为Ce、Y、La和Bi中的一种或多种；M为Nb、Sb、Ta和Mo中的一种或多种；D为MnO2、TiO2、 SiO2和B2O3中的一种或多种。本发明的无铅PTCR陶瓷材料系列，随x1、 x2、y和Z的变化，其TC，α，ρRT，电阻突跳(Rmax/Rmin)分别在140-250℃， 10-45％/℃，20-60Ω·Cm，以及102-105之间变动。
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发布日期：2010-01-18 01:22:00