| 专利名称： | 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法 |
| 公开（告）号： | CN100586585 |
| 公开（公告）日： | 2010-02-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710062733.8 |
| 申请日： | 2007-01-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| (申请)专利权（人）： | 童 翔 |
| 内容： | 本发明所述的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法，在清洗过程中采用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液和超纯水对零部件进行清洗，可以有效的去除附着于多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的聚合物，且步骤简单方便，清洗效果理想，而且不会对多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件造成损伤。应用此方法对半导体工艺一段时间后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件清洗后，多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的污染物完全被除去，且多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面没有遭到损伤，清洗后的多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件完全满足正常工艺的要求，清洗方法完全达到良好的污染物去除效果。 |
发布日期：2010-02-03 01:39:00