| 专利名称： | 二硼化锆基复相陶瓷的原位反应制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100588637 |
| 公开（公告）日： | 2010-02-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710038122.X |
| 申请日： | 2007-03-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 赵 媛;王连军;江 莞;陈立东 |
| 内容： | 本发明涉及二硼化锆(ZrB2)基复相陶瓷的原位反应制备方法。本发明以低成本的普通微米级商用粉末为原料，混合均匀后采用放电等离子烧结方法进行快速烧结，烧结温度范围为1300～1500℃；升温速率范围为80～200℃ /min；烧结压力范围为10～100MPa；保温时间为0～30min。本发明利用原料反应放热及反应合成得到的新生成相的高活性，在较低温度下制备得到致密的ZrB2基复相陶瓷；获得的材料具有二相或二相的复相组成结构，各相含量可通过改变起始原料配比进行调节；制备得到的材料显微结构精细，通过反应合成得到的各相晶粒细小，生成的第二相或第三相均匀分布在ZrB2 颗粒之间形成三维网络，抑制ZrB2晶粒的长大，无需添加其他助烧剂，烧结效率高。 |
发布日期：2010-02-23 20:53:00