| 专利名称： | 高纯度碳材料和被覆有陶瓷膜的高纯度碳材料 |
| 公开（告）号： | CN101659409 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910163506.3 |
| 申请日： | 2004-10-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 东洋炭素株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 藤田一郎;野上晓 |
| 内容： | 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子 /cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3 或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。 |
发布日期：2010-03-03 01:09:00