| 专利名称： | 具高d33无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101661990 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910167647.2 |
| 申请日： | 2009-09-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 四川大学 |
| (申请)专利权（人）： | 朱基亮;王明松;李绪海;朱建国;肖定全 |
| 内容： | 本发明涉及一种具有高d33的无铅压电陶瓷-聚合物压电复合材料的制备方法。该方法按式(1-x)(LiaNabK1-a-b)(Nb1-cSbc)O3-xABO3-yM组分配料，采用传统陶瓷制备方法制备铌酸钠钾基无铅压电陶瓷粉料；再将陶瓷粉料与聚合物聚偏氟乙烯按比例混合球磨；烘干后超声震荡，将混合粉料经冷压成型后加温处理，再在其表面溅射金电极，硅油浴中极化后测试其压电复合材料样品的压电性能d33；最后将样品置入去离子水或盐溶液中浸泡，再测试其样品的压电性能d33。结果表明，经浸泡处理的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷- 聚合物压电复合材料的d33比未经浸泡过的有大幅度提高，提高比例甚至可达300％。 |
发布日期：2010-03-03 01:25:00