| 专利名称： | 超低温烧成的X7R和BX介电陶瓷组合物及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101663253 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780052848.7 |
| 申请日： | 2007-11-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 费罗公司 |
| (申请)专利权（人）： | 小沃尔特·J.·赛姆斯;麦克·S.·h.·舒 |
| 内容： | 根据本发明制备多层陶瓷片式电容器，该电容器满足X7R和BX要求，并且与银-钯内电极兼容。该电容器表现出所想要的介电性能(高电容、低损耗因子、高绝缘电阻)、高加速寿命测试时的优异性能、以及非常优良的抗介电击穿性能。介电层包含无铅无镉的钛酸钡基材料，其掺杂有其它的金属氧化物如锌、硼、铋、铈、钨、铜、锰、钕、铌、银、钡、硅和镍的氧化物，它们可以进行各种组合。在不超过10000C下，可以将本文的介电陶瓷材料与包含大于80重量％的银和小于20重量％的钯的内电极烧结到一起(烧成)，以形成多层陶瓷电容器。 |
发布日期：2010-03-03 01:33:00