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| 专利名称： | 多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法 |
| 公开（告）号： | CN101668620 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880013670.X |
| 申请日： | 2008-12-08 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 斋藤善史 |
| 内容： | 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时，受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响，除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后，从复合层叠体除去收缩抑制层时，减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度，藉此使第一及第二反应层 (22及23)各自的厚度互不相同，从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力，抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。
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发布日期：2010-03-11 03:28:00