| 专利名称： | 一种陶瓷基板材料及其制备方法暨以该材料制备的片式熔断器 |
| 公开（告）号： | CN101665351 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910023990.X |
| 申请日： | 2009-09-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 陕西科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张昌松;党新安;杨立军;王 珍 |
| 内容： | 本发明公开了一种陶瓷基板材料及其制备方法暨利用该材料制备的片式熔断器，以重量百分比计，该陶瓷基板材料包含以下组分： Al2O3：90％～92％；Bi2O3：4％～8％；助溶剂：0％～5％；Al2O3和 Bi2O3均为分析纯级，助溶剂为Li2CO3、CaF2和LiF中的一种或多种混合物。在本发明中陶瓷基板材料的主要成分为分析纯级的Al2O3和 Bi2O3，其组分非常简单，在配料方面比较容易控制，并且本发明在制备过程中将烧结温度控制在1000℃以下，降低了生产成本；Bi2O3 在烧结时可以形成液相，降低氧化铝的烧结温度，通过和氧化铝陶瓷的不同比例混合可以调节基板的热力学参数，从而满足不同使用要求。本发明提供的片式熔断器，包括陶瓷基板、金属熔断单元和金属端头，这种结构的熔断器体积小，安装中正反极没有限制。 |
发布日期：2010-03-11 03:00:00