| 专利名称： | 一种掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101665355 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910093720.6 |
| 申请日： | 2009-09-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 曹茂盛;王大伟;袁 杰;张德庆 |
| 内容： | 本发明的一种掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷技术领域。掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷，其组分质量百分比如下：PZT粉体 97％～99.5％，ZnO粉体0.5％～3％。掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷的制备方法为将ZnO粉体、PZT粉体和乙醇在球磨机内混合，然后加入聚乙烯醇水溶液继续球磨，干燥成固体过筛后，压制成圆片，经排胶、烧结得到掺杂ZnO的锆钛酸铅陶瓷圆片；将陶瓷片进行切割加工、涂银浆、上电极、极化老化后，得到掺杂ZnO的锆钛酸铅压电陶瓷。本发明由于在PZT压电陶瓷中掺杂了纳米ZnO 粉体，降低了PZT压电陶瓷的烧结温度，提高了PZT压电陶瓷的机械品质因数。 |
发布日期：2010-03-11 03:05:00