| 专利名称： | 一种高硬度半透明氮化硅陶瓷的低温烧结方法 |
| 公开（告）号： | CN101671181 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910114342.5 |
| 申请日： | 2009-08-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 广西师范大学 |
| (申请)专利权（人）： | 彭桂花;梁振华;冯玉芝;卢锋奇;李庆余;王红强 |
| 内容： | 本发明涉及以氮化硅镁(MgSiN2)粉体作为烧结助剂低温热压烧结得到高硬度半透明氮化硅陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。所述高硬度半透明氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)以α-Si3N4和MgSiN2 为起始原料，两者重量比例为100∶2～1；2)将上述步骤1)中含有烧结助剂的粉料混合均匀后，装入石墨模具中，在20～60MPa、1550℃～1600℃、保温时间0.5～2小时、氮气气氛保护条件下热压烧结，烧结结束后样品随炉冷却至室温。以本发明所述方法制得的高硬度半透明氮化硅陶瓷的红外透过率可达58％，显微硬度高于2200Kg/mm2。 |
发布日期：2010-03-17 22:04:00