| 专利名称： | 压电陶瓷组合物及该压电陶瓷组合物的制造方法以及压电陶瓷电子部件 |
| 公开（告）号： | CN100594198 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680004194.6 |
| 申请日： | 2006-04-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 川田慎一郎;片山良子;堀川胜弘 |
| 内容： | 本发明提供一种压电陶瓷组合物，主成分由通式{(1-x)(K1-a-b NaaLib)m(Nb1-c-dTacSbd)O3-xM1nM2O3}(M1为Ca、Sr或Ba，M2 为Ti、Zr或Sn)表示，而且处于0.005≤x≤0.1，0≤a≤0.9，0≤b≤0.3， 0≤a+b≤0.9，0≤c≤0.5，0≤d≤0.1，0.9≤m≤1.1及0.9≤n≤1.1的范围，并且相对于所述主成分100摩尔总计以0.1～10摩尔(优选1.5～10摩尔) 含有选自In、Sc、Y、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb及Lu 当中的至少一种特定元素。最好还添加有Mn、Ni、Fe、Zn、Cu或Mg。这样就可以在微小电场时及高电场时两种情况下都高效率地稳定地获得高的压电d常数。 |
发布日期：2010-03-17 22:38:00