| 专利名称： | 等离子体处理装置用陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN101671171 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910174366.X |
| 申请日： | 2009-09-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 科发伦材料株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 渡边敬祐;村田征隆;松本慎太郎 |
| 内容： | 本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的等离子体处理装置用陶瓷。使用向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧结而成的开孔率为1.0％以下的陶瓷。 |
发布日期：2010-03-17 21:50:00