| 专利名称： | 半导体陶瓷材料 |
| 公开（告）号： | CN101687714 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-31 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880020249.1 |
| 申请日： | 2008-06-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 胜勇人 |
| 内容： | 本发明提供不含Pb、居里点高、而且电阻率低的具有PTC特性的半导体陶瓷材料。该半导体陶瓷材料是以通式：ABO3表示的具有PTC特性的半导体陶瓷材料，A包括Ba、Ca、碱金属元素、Bi及稀土类元素，B包括Ti。相对于100摩尔份Ti，Ca的含量为5～20摩尔份，较好是12.5～17.5摩尔份。碱金属元素的含量/(Bi的含量+稀土类元素的含量)优选为1.0～1.06的范围。较好是还含有Mn，其含量相对于100摩尔份Ti为0.01～0.2摩尔份。
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发布日期：2010-03-31 02:32:00