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| 专利名称： | 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101691301 |
| 公开（公告）日： | 2010-04-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910024145.4 |
| 申请日： | 2009-09-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西北工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 殷小玮;张立同;李向明;成来飞 |
| 内容： | 本发明公开了一种表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法，首先将平均直径为0.6～1.5微米的Si3N4粉、Lu2O3与酚醛树脂制成均匀的混合粉料，经球磨、烘干后破碎、过筛，模压制成坯体；然后在高温管式炉中进行氧化除碳，在高温烧结炉进行无压烧结制备出多孔Si3N4陶瓷；最后采用化学气相沉积Si3N4提高多孔Si3N4陶瓷的表面硬度。由于对多孔Si3N4陶瓷进行了化学气相沉积，多孔Si3N4陶瓷的力学性能显著提高，所制备的表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的表面硬度由现有技术的0.8～1.0GPa提高到4.0～6.3GPa；而且Si3N4陶瓷仍然具有很高的孔隙率，因此其介电常数仍然低于4.0，满足天线罩透波材料的介电性能要求。
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发布日期：2010-04-07 02:36:00