| 专利名称： | SiCN(O)陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101693618A |
| 公开（公告）日： | 2010-04-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910308985.3 |
| 申请日： | 2009-10-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 贾德昌;孙振淋;周玉 |
| 内容： | SiCN(O)陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有以氯硅烷为原料制作SiCN(O)陶瓷材料的工艺复杂、制作条件苛刻以及制作过程中容易造成污染的问题。SiCN(O)陶瓷材料由氮源、溶剂和硅源制成。方法：一、称取原料；二、原料反应得到生成物；三、制作SiCN(O)先驱体；四、裂解处理，然后随炉冷却至室温，即得到SiCN(O)陶瓷材料。本发明的制作方法反应条件温和，对制作条件的要求低，制作过程简单，制作过程中不产生污染物质，不会造成污染。 |
发布日期：2010-04-20 22:24:00