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| 专利名称： | 高纯β-Sialon陶瓷粉体的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101698610A |
| 公开（公告）日： | 2010-04-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910198287.2 |
| 申请日： | 2009-11-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 刘茜;颜强;王明辉 |
| 内容： | 本发明提供了一种高纯β-Sialon陶瓷粉体的制备方法。本发明的制备方法将碳热还原氮化工艺与纳米浇注技术结合，具体包括如下步骤：首先以有序介孔二氧化硅为主原料，以可溶性无机铝盐为氧化铝前驱物，以有机小分子化合物为碳源，通过纳米浇注制得介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物；然后将介孔碳/氧化硅/氧化铝复合物进行碳热还原氮化制得试样；最后将试样在空气中煅烧除去残留碳，冷却后得产物。本发明的优点在于：制备方法合成温度相对较低，有利于降低生产时所需能耗；制得的β-Sialon陶瓷粉体纯度高，颗粒形貌主要为长棒状，可广泛应用于航天、冶金、化工等领域。
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发布日期：2010-05-04 21:25:00