| 专利名称： | 一种微波冶金透波陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101696105A |
| 公开（公告）日： | 2010-04-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910095114.8 |
| 申请日： | 2009-10-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 昆明理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 彭金辉;支晓洁;郭胜惠;孟彬;张利波;张世敏;陈菓;李军 |
| 内容： | 本发明涉及一种微波冶金透波陶瓷材料的配方和制备方法。该材料由下列重量配比的原料构成：MgO∶Al2O3∶SiO2∶纳米SiO2＝12～16％∶33～37％∶21～43％∶8～30％，总量为100％。在温度1390-1430℃烧结后得到低介电常数、低介电损耗的微波冶金透波陶瓷材料。该材料的介电常数为3～5、损耗角正切tanδ＜2×10-2。本发明采用的原料成本较低，合成温度较低，合成过程易于控制，环保无污染，适用于工业化生产。 |
发布日期：2010-04-21 03:17:00