| 专利名称： | 陶瓷填充式中子管 |
| 公开（告）号： | CN101699612A |
| 公开（公告）日： | 2010-04-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910217791.2 |
| 申请日： | 2009-10-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 东北师范大学 |
| (申请)专利权（人）： | 乔双;严长春;景士伟 |
| 内容： | 本发明属于改进的可关断中子源，具体涉及一种中子管。本发明在阳极筒和离子源罩之间填充陶瓷绝缘环，在离子源罩和加速筒之间填充陶瓷绝缘环，既减小了中子管内的出气空间，又增加了绝缘强度，同时降低了封接的难度，有效地保证了系统的同轴度。发明效果可以大幅度降低放电、击穿几率，保证中子管的准直度，提高中子管的产额、寿命、稳定性，以Φ50为例，改进后寿命提高3倍以上，产额提高约5倍，稳定性不大于3％，成品率高于90％，可实现中子管加工制作的产业化。
 |
发布日期：2010-05-04 21:37:00