| 专利名称： | 介电陶瓷和单片陶瓷电容器 |
| 公开（告）号： | CN101006027B |
| 公开（公告）日： | 2010-05-05 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200580028204.5 |
| 申请日： | 2005-06-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 武藤和夫;中村友幸;加藤成;佐野晴信;笹林武久;平松隆 |
| 内容： | 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1-x-ySrxCay)m(Ti1-zZrz)O3 +aBaO+bR2O3+cMgO+dMnO+eCuO+fV2O5+gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)， 0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5， 0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g ≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。 |
发布日期：2010-05-05 22:11:00