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| 专利名称： | 高功率发光二极管陶瓷封装结构及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101728466A |
| 公开（公告）日： | 2010-06-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810173836.6 |
| 申请日： | 2008-10-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 林升柏;陈滨全 |
| 内容： | 本发明涉及一种高功率发光二极管陶瓷封装结构及其制造方法，该高功率发光二极管陶瓷封装结构包含一发光二极管晶粒、一陶瓷基板、至少两个导柱及一导电膜层。该陶瓷基板包含一第一表面及一相对于该第一表面的第二表面，该第一表面凹设有一反射杯，且该反射杯的底部有至少两个通孔。该导电膜层包含一第一电极及一第二电极。所述至少两个导柱分别设于所述至少两个通孔中，且分别和该第一电极及一第二电极相连接。该发光二极管晶粒固定于一个导柱或所述至少两个导柱的表面，且和所述至少两个导柱电性相连。本发明的高功率发光二极管陶瓷封装结构通过热压合形成的高散热陶瓷材料载板将芯片所产生的热能导出，从而达到有效降低元件温度的目的。
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发布日期：2010-06-10 22:19:00