| 专利名称： | 一种高介电常数低介电损耗铁电陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101723677A |
| 公开（公告）日： | 2010-06-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910024446.7 |
| 申请日： | 2009-02-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 江苏工业学院 |
| (申请)专利权（人）： | 方必军 |
| 内容： | 一种高介电常数低介电损耗铁电陶瓷的制备方法，属于功能陶瓷材料制备技术领域。本发明以氧化铅、三氧化二铁、三氧化二钪、五氧化二铌等金属氧化物为原料，通过传统的陶瓷工艺、利用B位氧化物预合成法制备出含铁、含钪弛豫铁电体基铁电陶瓷。由于本发明利用同组成的金属氧化物混合物作为焙烧粉提供铅源、在密封的氧化铝坩埚中采用叠片式陶瓷毛坯堆放方式四周覆盖焙烧粉、并结合了B位氧化物预合成工艺，因此有效地减少了陶瓷烧结过程中由于铅的挥发导致的失重、抑制了焦绿石相的生成、增加了钙钛矿结构的稳定性，得到具有相当均匀的显微结构和较高致密度的陶瓷产品。? |
发布日期：2010-06-10 22:27:00