| 专利名称： | X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101781115A |
| 公开（公告）日： | 2010-07-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910077170.9 |
| 申请日： | 2009-01-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学;无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 王晓慧;姚国峰;孙常库;李龙土;桂治轮 |
| 内容： | 本发明涉及应用于电子元器件的陶瓷材料技术领域，具体涉及一种具有高温温度稳定性的X8R型多层陶瓷电容器介质材料及制备方法。本发明材料为：主成分钛酸钡，其摩尔含量为92％～96％；由Nb2O5与Co3O4组成的固溶物、R1的氧化物、R2的氧化物和Bi2O3组成的添加剂，其摩尔含量为4～8％；R1和R2均为稀土族元素。利用本发明的的配方和工艺，可以获得性能优良的的X8R型陶瓷材料，且工艺简单，烧结温度低于1180℃。在我国介质陶瓷正处在不断发展之中，尤其是像X8R之类的特种介质陶瓷，研究尚未完善，基本尚未实现大规模产业化。本发明所提供的陶瓷材料及其制作方法是一种新的材料体系，具有良好的产业化前景。 |
发布日期：2010-07-21 04:18:00