| 专利名称： | 一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法 |
| 公开（告）号： | CN101805176A |
| 公开（公告）日： | 2010-08-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010126659.3 |
| 申请日： | 2010-03-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 厦门大学 |
| (申请)专利权（人）： | 熊兆贤;曹泽亮;喻荣;薛昊;洪礼清 |
| 内容： | 一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法，涉及一种电子陶瓷材料。提供一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法。制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体；将纳米级的CaCu3Ti4O12粉体干压成坯体；对坯体进行烧结处理，得高介电陶瓷材料。具有以下优点：原料被分散到溶剂中形成低粘度的溶液，在很短的时间内获得分子水平的均匀性，溶胶一凝胶体系中组分的扩散在纳米范围内，与固相反应相比，化学反应不仅容易进行，而且仅需要较低的合成温度。由所制备的粉体粒径小、粒度分布窄，化学活性好，仅在烧结时才出现团聚，能有效地降低烧结温度。同时有效地结合两步烧结法，使陶瓷的致密度得到提高，从而提高了陶瓷体的介电性能。 |
发布日期：2010-08-18 03:50:00