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| 专利名称： | 陶瓷电子部件的制造方法及镀浴 |
| 公开（告）号： | CN101128623B |
| 公开（公告）日： | 2010-08-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680006393.0 |
| 申请日： | 2006-02-01 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 元木章博;小川诚;松本诚一;高野良比古;国司多通夫 |
| 内容： | 一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序；在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。根据本发明，能够提供在Sn镀膜的形成之际，Ba从电子部件形成体的溶出难以发生，不仅由Sn镀膜造成的电子部件形成体彼此间的粘合难以发生，并且可钎焊性良好的陶瓷电子部件的制造方法。
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发布日期：2010-08-18 03:57:00