当前位置:
| 专利名称： | 静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法 |
| 公开（告）号： | CN101265122B |
| 公开（公告）日： | 2010-09-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810017871.9 |
| 申请日： | 2008-04-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 赵康;汤玉斐;魏俊琪 |
| 内容： | 本发明公开了一种静电场下冷冻干燥技术制备多孔陶瓷材料的方法；取粒径为0.1μm～50μm的陶瓷粉末加入极性溶液中，混合均匀，得到固相体积含量为30％～70％的陶瓷浆料；将陶瓷浆料注入底面为传热材料、侧面为绝热材料的模具中，将该模具处于由温度梯度和静电场共同作用的环境中冷冻，根据所需不同的结晶体孔径、孔形状以及孔排列方式控制温度梯度与静电场的大小和方向的组合；陶瓷浆料完全冷冻后，取出，置于真空环境中干燥，除去结晶体得到多孔陶瓷材料预制体；将得到的多孔陶瓷材料预制体在1250℃～1500℃的温度烧结，即制得多孔陶瓷材料。本发明制备多孔陶瓷材料的方法制备多孔陶瓷，可依据用途控制孔径、孔形状以及孔排列方式。
 |
发布日期：2010-11-22 15:48:00