| 专利名称： | 半透明Li-α-SiAlON陶瓷材料的快速制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101851098A |
| 公开（公告）日： | 2010-10-06 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010181283.6 |
| 申请日： | 2010-05-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王皓;杨章富;王为民;傅正义;王玉成;张清杰 |
| 内容： | 本发明涉及一种半透明Li-α-SiAlON陶瓷材料的快速制备方法，包括如下步骤：按通式LimSi12-m-nAlm+nOnN16-n，其中0.4＜m＜2.0，0.8＜n＜2.0选取α-Si3N4、AlN、α-Al2O3和Li2CO3原料混合，球磨干燥，研磨，过100目筛；在烧结压力不小于20Mpa和N2气保护下，于放电等离子烧结炉中，升温至950～1050℃保温1～3min，然后升至1600～1850℃烧结0～20min，随炉冷却；切割、研磨、抛光至镜面即得。其采用放电等离子烧结方法，工艺简单，升温速度快，烧结温度低，时间短，能耗低；制得的半透明Li-α-SiAlON陶瓷材料红外透光性能优异。 |
发布日期：2010-11-23 14:55:00