| 专利名称： | 一种高压电系数的铌酸盐基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101269962B |
| 公开（公告）日： | 2010-10-06 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810025235.0 |
| 申请日： | 2008-04-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 合肥工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 左如忠;付健;方旭生;马兵 |
| 内容： | 一种高压电系数的铌酸盐基无铅压电陶瓷，以通式(1-z)(Nav-tKu-x-wLixHwAgt)(Nb1-x-y-wTaxSbyTiw)O3·zMαOβ来表示，其中0.5＜v＜0.6，0≤w＜0.02，v+u＝1，0≤t＜0.03，0.02＜x＜0.07，0.03＜y＜0.08，0≤z＜5％。其中，x、y、u、v、w、t为各元素在材料组分中所占的原子百分比，z为氧化物重量占原料总量的质量百分比；H选自Ba、Mg、Sr、Ca中的至少一种；??MαOβ是一种或多种掺杂氧化物，M为+1～+6价且能与氧形成固态氧化物的元素，其制备方法包括原料混合、预烧、造粒、制作素坯、排胶、烧结、被银、极化步骤。该无铅压电陶瓷的d33可达350pC/N，kp可达50％，介电常数εr为1550，损耗角正切tanδ＜0.03，Tc可高达310℃；且时间稳定性好，工艺简单，可用于制作驱动器、发声器、超声换能器、谐振器等器件的材料。 |
发布日期：2010-11-23 15:05:00